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英飛凌igbt的優(yōu)點(diǎn)與作用說明

日期:2024-12-22 19:34
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摘要:
    IGBT(絕緣柵雙極晶體管)絕緣柵雙極晶體管是由BJT(雙極晶體管)和MOS(絕緣柵場效應(yīng)晶體管)組成的復(fù)合完全控制電壓驅(qū)動功率半導(dǎo)體器件,其具有兩個MOSFET。 GTR的高輸入阻抗和低導(dǎo)通電壓降的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和電壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流大; MOSFET驅(qū)動功率小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通電壓降大,且載流密度小。 IGBT結(jié)合了上述兩種器件的優(yōu)點(diǎn),具有低驅(qū)動功率和降低的飽和電壓。適用于直流電壓為600V及以上的轉(zhuǎn)換器系統(tǒng),如交流電機(jī)、逆變器、開關(guān)電源、照明電路、牽引驅(qū)動和其他領(lǐng)域。

    英飛凌igbt模塊是用來實(shí)現(xiàn)將直流電變成可以控制的交流電這一逆變功能的器件,可以在幾十KHz的頻率范圍內(nèi)正常工作,廣泛應(yīng)用于變頻器等各類電子裝置。

    從電磁加熱器的工作原理中知道,電磁加熱的核心就是電流的轉(zhuǎn)換,現(xiàn)在知道,真正起到轉(zhuǎn)換作用的實(shí)際就是這塊小小的IGBT模塊,它在執(zhí)行將直流電轉(zhuǎn)換為交流電輸出這一關(guān)鍵步驟,可以說,IGBT模塊起到的作用實(shí)際上相對于人的大腦,是整塊電磁加熱控制主板的指揮中心,重要性非同尋常了。


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