- IGBT模塊
- 英飛凌IGBT模塊
- 英飛凌整流橋
- 英飛凌二極管
- 英飛凌可控硅
- 英飛凌模塊
- ABB模塊
- ABB可控硅
- ABB變頻器維修配件
- 西門康模塊
- 西門康IGBT模塊
- 西門康IGBT智能模塊
- 西門康大功率模塊
- 西門康二極管
- 西門康整流橋
- 西門康可控硅模塊
- 西門子IGBT模塊
- 西門子可控硅
- 西門子變頻器配件
- 三菱IGBT模塊
- 三菱整流橋
- 三菱GTR模塊(達林頓)
- 三菱IPM智能模塊
- 三菱IGBT快恢復(fù)二極管模塊
- 三菱IGBT可控硅模塊
- 三菱PIM整流逆變集成
- EUPEC IGBT
- EUPCE模塊
- EUPEC平板可控硅
- EUPEC可控硅
- EUPEC 二極管
- EUPEC整流橋
- IXYS 整流橋
- IXYS可控硅
- IXYS二極管
- 富士IGBT
- 富士整流橋
- 富士IGBT可控硅
- 富士變頻器維修配件
- 富士IPM智能模塊
- 富士IGBT二極管模塊
- 富士GTR模塊(達林頓)
- 東芝IGBT
- 東芝可控硅模塊
- 東芝智能型IGBT
- 東芝GTR模塊(達林頓)
- 東芝復(fù)合模塊PIM
- 東芝二極管模塊
- 瑞士驅(qū)動模塊
- 二極管
- 三社二極管
- 三社達林頓模塊
- 三社可控硅模塊
- 三社整流橋
- 西班牙廠家整流橋
- 三墾IGBT模塊
- 三墾GTR模塊(達林頓)
- 三墾智能型IPM
- IR IGBT模塊
- 西瑪可控硅
- 羅蘭快速熔斷器
- 富士熔斷器
- 美國BUSSMAN快熔
- 電解電容 高頻無感電容
- 光耦
- 場效應(yīng)模塊
- IR可控硅
英飛凌一單元FZ600R12KE3 FZ600R12KS4 IGBT模塊
- 產(chǎn)品型號: FZ600R12KE3,FZ600R12KS4
- 產(chǎn)品品牌: EUPEC/英飛凌
- 產(chǎn)品Tag:FZ600R12KE3 FZ600R12KS4
英飛凌一單元FZ600R12KE3 FZ600R12KS4 IGBT模塊
英飛凌一單元FZ600R12KE3 FZ600R12KS4IGBT模塊
型號:FZ600R12KE3 FZ600R12KS4
廠家:EUPEC/英飛凌
電壓:1200V
飽和壓降:1.7V/3.2V
封裝及工藝:IGBT2/3 1單元
柵極電荷體現(xiàn)IGBT的特性
IGBT模塊的開關(guān)特性主要取決于半導(dǎo)體電容(電荷)及內(nèi)部和外部的電阻。圖1是IGBT電容的示意圖,其中CGE是柵極-發(fā)射極電容、CCE是集電極-發(fā)射極電容、CGC是柵極-集電極電容(或稱為米勒電容)。柵極電荷的特性由輸入電容CGC和CGE來表示,它是計算IGBT驅(qū)動器電路所需輸出功率的關(guān)鍵參數(shù)。FZ600R12KE3 FZ600R12KS4該電容幾乎不受溫度影響,但與電壓關(guān)系密切,是IGBT集電極-發(fā)射極電壓VCE的函數(shù)。當(dāng)在集電極-發(fā)射極電壓非常低時這種依賴性大幅提高,電壓高時依賴性下降。當(dāng)IGBT導(dǎo)通時,IGBT的特性由柵極電荷來體現(xiàn)。圖2顯示了柵極-發(fā)射極電壓VGE、柵極電流IG和相應(yīng)的集電極電流IC作為時間的函數(shù),從IGBT導(dǎo)通到飽和這段時間的簡化波形。正如IG=f(t)圖所示,導(dǎo)通過程可以分為三個階段。分別是柵極-發(fā)射極電容的充電,柵極-集電極電容的充電和柵極-發(fā)射極電容的充電直至IGBT全飽和。柵極電流IG對輸入電容進行充電,IGBT的導(dǎo)通和關(guān)斷特性由與充電過程有關(guān)的電壓VGE和VCE來體現(xiàn)。在關(guān)斷期間,所描述的過程運行在相反的方向,電荷必須從柵極上移除。由于輸入電容的非線性,因此為了計算驅(qū)動器輸出功率,輸入電容可能只被應(yīng)用到某種范圍。FZ600R12KE3 FZ600R12KS4一種更為實際的確定驅(qū)動器輸出功率的方法是利用柵極電荷特性。