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新聞詳情
igbt模塊電流的選擇方法
日期：2024-12-22 08:58
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摘要：
大多數(shù)IGBT模塊工作在交流電網(wǎng)通過單相或三相整流后的直流母線電壓下，所以，通常IGBT模塊的工作電壓（600V、1200V、1700V）均對(duì)應(yīng)于常用電網(wǎng)的電壓等級(jí)。考慮到過載，電網(wǎng)波動(dòng)，開關(guān)過程引起的電壓尖峰等因素，通常電力電子設(shè)備選擇IGBT器件耐壓都是直流母線電壓的一倍。如果結(jié)構(gòu)、布線、吸收等設(shè)計(jì)比較好，就可以使用較低耐壓的IGBT模塊承受較高的直流母線電壓。
半導(dǎo)體器件具有溫度敏感性，因此，IGBT模塊標(biāo)稱電流與溫度的關(guān)系比較大。隨著殼溫的上升，IGBT模塊可利用的電流就會(huì)下降，英飛凌IGBT模塊是按殼溫Tc=80℃或100℃來標(biāo)稱其*大允許通過的集電極電流（Ic).對(duì)于英飛凌 NPT-IGBT芯片來說，當(dāng)Tc＜25℃時(shí)，這個(gè)電流值通常是一個(gè)恒定值，但是，隨著Tc的增加，這個(gè)可利用的電流值下降較快，有些IGBT品牌是按照Tc=25℃的電流值來標(biāo)稱型號(hào)，這個(gè)需要特別注意。
