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新聞詳情
igbt功率模塊發(fā)展前景如何
日期:2024-12-22 19:02
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摘要:
現(xiàn)階段igbt模塊原材料是硅半導(dǎo)體,已使用二十余載,,抗壓為6500伏,電流為3600安,不能完成很大突破。因此,行業(yè)內(nèi)公認(rèn)igbt模塊技術(shù)現(xiàn)階段已接近封頂。
但,對(duì)半導(dǎo)體行業(yè),需求并不是根本,技術(shù)升級(jí)才能是掌握投資機(jī)會(huì)的主軸,一旦技術(shù)出現(xiàn)迭代,需求將不會(huì)出現(xiàn)線性增長的狀態(tài)。現(xiàn)階段,igbt模塊在新能源車行業(yè),就遭受了這個(gè)挑戰(zhàn)。業(yè)內(nèi)人士廣泛認(rèn)為,硅基igbt模塊逼近原材料特性,技術(shù)升級(jí)勢在必行。所以,以后碳化硅(SiC)半導(dǎo)體在一定行業(yè)和行業(yè),包含電動(dòng)汽車,會(huì)完成對(duì)硅半導(dǎo)體的很大更換。
SiC和G...
現(xiàn)階段igbt模塊原材料是硅半導(dǎo)體,已使用二十余載,,抗壓為6500伏,電流為3600安,不能完成很大突破。因此,行業(yè)內(nèi)公認(rèn)igbt模塊技術(shù)現(xiàn)階段已接近封頂。
但,對(duì)半導(dǎo)體行業(yè),需求并不是根本,技術(shù)升級(jí)才能是掌握投資機(jī)會(huì)的主軸,一旦技術(shù)出現(xiàn)迭代,需求將不會(huì)出現(xiàn)線性增長的狀態(tài)。現(xiàn)階段,igbt模塊在新能源車行業(yè),就遭受了這個(gè)挑戰(zhàn)。業(yè)內(nèi)人士廣泛認(rèn)為,硅基igbt模塊逼近原材料特性,技術(shù)升級(jí)勢在必行。所以,以后碳化硅(SiC)半導(dǎo)體在一定行業(yè)和行業(yè),包含電動(dòng)汽車,會(huì)完成對(duì)硅半導(dǎo)體的很大更換。
SiC和GaN是第3代半導(dǎo)體材質(zhì),與半導(dǎo)體材質(zhì)相比較,第3代半導(dǎo)體材質(zhì)具備更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力,更適用于制做高溫、高頻、抗輻射及大功率器件,一般又被稱作寬禁帶半導(dǎo)體材質(zhì)。
但,限制SiC用處的因素是成本費(fèi)太高,產(chǎn)品參數(shù)也并不穩(wěn)定。目前SiC芯片成本費(fèi)是igbt模塊的4-5倍,但業(yè)界預(yù)計(jì)SiC成本費(fèi)三年內(nèi)能夠 降低到2倍左右。所以,業(yè)內(nèi)也有聲音覺得,未來隨之第3代半導(dǎo)體的成本費(fèi)快速降低,igbt模塊就可能會(huì)進(jìn)一步被3代半導(dǎo)體取代。
實(shí)際上,目前已經(jīng)有廠家開始這么做了。2018年,特斯拉model3采用了意法半導(dǎo)體的24個(gè)碳化硅MOSFET模塊代替了igbt模塊,比照硅基的igbt模塊續(xù)航能夠 提升 5~10%,這也被覺得是第3代半導(dǎo)體首先開始取代igbt模塊的苗頭。
國金證券研報(bào)講解,未來igbt模塊將向更低的開關(guān)損耗、更高的電流密度和更高的工作溫度發(fā)展,隨之?dāng)?shù)萬伏高壓、高過500℃的高溫、高頻、大功率等要求的提出,硅基igbt模塊的性能已經(jīng)接近材質(zhì)性能極限,所以碳化硅(SiC)基igbt模塊將站上歷史舞臺(tái)。
短期來講,受限于成本費(fèi)問題,未來3-5年igbt模塊重要的應(yīng)用。但未來隨之SiC成本費(fèi)的降低,穩(wěn)定性逐步提升 ,達(dá)到高量產(chǎn),那個(gè)時(shí)候,igbt模塊的未來是不是會(huì)岌岌可危?